在晶圓/芯片生產(chǎn)過(guò)程中，開鴻盛世超細(xì)無(wú)塵布是保障潔凈度和產(chǎn)品良率的關(guān)鍵耗材，其應(yīng)用貫穿光刻、蝕刻、薄膜沉積、封裝測(cè)試等核心工序。以下是具體應(yīng)用場(chǎng)景、操作要點(diǎn)及性能要求： 一、核心應(yīng)用場(chǎng)景與功能  1.光刻工序：基板清潔與光刻膠預(yù)處理 -場(chǎng)景： 光刻前需徹底清潔晶圓表面，去除吸附的灰塵、金屬離子、有機(jī)物（如人體油脂），避免光刻膠涂覆不均或曝光時(shí)產(chǎn)生缺陷（如針孔、線條模糊）。 -操作要點(diǎn)： - 用超細(xì)無(wú)塵布（聚酯纖維+聚酰胺混合材質(zhì)）蘸取高純度異丙醇（IPA）或去離子水（DI Water），以順時(shí)針螺旋軌跡輕柔擦拭晶圓表面，確保每個(gè)區(qū)域覆蓋均勻。 - 對(duì)于6英寸/8英寸晶圓，單次擦拭使用1/4張無(wú)塵布，避免重復(fù)擦拭導(dǎo)致污染物擴(kuò)散；12英寸晶圓需使用更大尺寸無(wú)塵布或分區(qū)域清潔。 -關(guān)鍵性能需求： -低發(fā)塵量：纖維直徑≤0.5微米，邊緣經(jīng)激光切割處理，避免擦拭時(shí)產(chǎn)生毛屑污染晶圓。 -高吸附性：混合纖維結(jié)構(gòu)可快速吸附液體污染物（如光刻膠溶劑）和固體顆粒（≥0.1微米）。

 2.蝕刻與薄膜沉積：腔體清潔與殘留物去除 -場(chǎng)景： 干法蝕刻或CVD（化學(xué)氣相沉積）后，腔體內(nèi)壁及晶圓表面可能殘留蝕刻副產(chǎn)物（如聚合物、金屬離子）或未反應(yīng)的氣體沉積物，需在下次工藝前清除，避免影響膜層質(zhì)量或引發(fā)短路。 -操作要點(diǎn)： - 使用防靜電型超細(xì)無(wú)塵布（表面碳涂層處理）配合專用清潔棒，深入腔體縫隙或晶圓邊緣溝槽擦拭，防止靜電吸附的微粒二次污染。 - 對(duì)于敏感的金屬薄膜（如銅互連層），需用去離子水潤(rùn)濕的無(wú)塵布輕拭，避免有機(jī)溶劑腐蝕薄膜。 -關(guān)鍵性能需求： -耐化學(xué)腐蝕：可承受氫氟酸（HF）、王水等強(qiáng)腐蝕性試劑，纖維不膨脹或斷裂。 -低靜電特性：表面電阻值≤10^9Ω，防止靜電放電（ESD）損傷蝕刻后的精細(xì)電路結(jié)構(gòu)。

 3.封裝測(cè)試：切割道清潔與焊盤預(yù)處理 -場(chǎng)景： 晶圓切割（劃片）后，切割道附近可能殘留硅屑、切割液或研磨粉塵；封裝前需清潔焊盤表面，確保引線鍵合（Wire Bonding）或倒裝焊（Flip Chip）的可靠性。 -操作要點(diǎn)： - 先用高壓氮?dú)獯祾呷コ箢w粒硅屑，再用蘸取酒精的無(wú)塵布沿切割道垂直方向擦拭，清除微小顆粒和有機(jī)物殘留。 - 對(duì)于焊盤區(qū)域，使用無(wú)毛屑型無(wú)塵布（邊緣激光密封）輕輕點(diǎn)觸清潔，避免物理摩擦損傷焊盤鍍層（如金、鎳層）。